Förbättrad supraledning:Silicider, såsom titansilicid (TiSi2) och niobsilicid (NbSi), uppvisar överlägsna supraledande egenskaper jämfört med de konventionella aluminiumfilmerna som används i transmon-qubits. Dessa silicider har högre kritiska temperaturer (Tc) och lägre restresistansförhållanden (RRR), vilket leder till minskade förluster och förbättrade koherenstider i qubits.
Förbättrade Josephson Junctions:Bildandet av silicidlager vid gränsytan mellan två supraledande lager skapar högkvalitativa Josephson-övergångar. Dessa korsningar uppvisar mer konsekventa och tillförlitliga egenskaper, vilket resulterar i bättre qubit-kontroll och minskad dekoherens.
Avstämbara egenskaper:Införandet av silicider möjliggör ytterligare avstämningsparametrar i utformningen av transmon-qubits. Genom att variera tjockleken och sammansättningen av silicidskiktet är det möjligt att justera qubit-frekvensen, anharmoniciteten och andra relevanta parametrar. Denna inställning möjliggör exakt optimering av qubitens prestanda och mildrar tillverkningsvariationer.
Reducerat laddningsbrus:Silicider kan hjälpa till att minska laddningsbruset i transmon qubits genom att undertrycka tvånivåfluktuatorer (TLF) och andra källor till dekoherens. Närvaron av silicidskiktet ger en mer stabil och enhetlig miljö för qubit, vilket leder till längre koherenstider och förbättrad qubit-prestanda.
Ökat tillverkningsutbyte:Användningen av silicider förbättrar det totala tillverkningsutbytet av transmon-qubits genom att minska förekomsten av defekter och kortslutningar. Silicider fungerar som en diffusionsbarriär, förhindrar interdiffusion av olika material och säkerställer bättre isolering mellan kretskomponenter.
Dessa fördelar gör silicider till ett lovande material för tillverkning av högpresterande transmon-qubits, vilket möjliggör framsteg inom kvantberäkning, kvantavkänning och andra tillämpningar.
