Kolmonoxid är en smygande giftig gas. Det kan genomsyra ett slutet utrymme och orsaka dåsighet och vid tillräckligt hög koncentration är det dödligt för alla som andas det. Som sådan, det finns ett behov av effektiva och snabbreagerande kolmonoxidsensorenheter inom en mängd olika industriella, kommersiell, och hemmiljöer. Enheter är tillgängliga men ett nytt tillvägagångssätt diskuteras i International Journal of Microstructure and Materials Properties som använder kemin hos en tvillingfilm av molybden(VI)oxid- och indium(III)oxidskikt.

Fysikerna Nimba Kothawade och Arun Patil of the Arts, Science and Commerce College, och Vikas Deshmane från SICES Degree College i Maharashtra, Indien, preparerade tunna filmer av MoO ₃ :I ₂ O ₃ med användning av spraypyrolysteknik på ett glassubstrat vid 400 grader Celsius. De karakteriserade sin film med röntgendiffraktion, svepelektronmikroskopi, och energidispersiv röntgenspektroskopi.

En gång säker på sitt material, teamet testade sedan de elektriska egenskaperna hos deras olika formuleringar. De fann att resistiviteten hos filmerna ökade med MoO3 som dopämne i In2O3. De fann en maximal resistivitet på 1,75 × 104 Ωm för 0,3N (MoO3) och 0,1N (In2O3) binära oxidfilmer.

De testade sedan de dubbla filmernas gasavkännande egenskaper mot fem olika målgaser. Filmsammansättningsförhållandet 0,3N:0,1N filmer hade 70,50 % känslighet för 300 delar per miljon (ppm) kolmonoxidgas vid 150 grader Celsius med hög selektivitet. Svarstiden, teamrapporterna var 15 sekunder och återhämtningstiden var bara 25 sekunder.