Transistortyp:
* bipolära övergångstransistorer (BJT): Dessa är i allmänhet långsammare än MOSFETS, med växlingstider i nanosekundområdet.
* Metalloxid-Semiceductor-fälteffekttransistorer (MOSFET): Dessa är mycket snabbare, med växlingstider som sträcker sig från nanosekunder till picosekunder, beroende på den specifika typen (t.ex. CMO, NMO, PMO).
Tekniska specifikationer:
* stigning och hösttider: Dessa specificerar den tid det tar för att utsignalen ska stiga från 10% till 90% av dess slutliga värde (stigningstid) eller faller från 90% till 10% (hösttid).
* Förökningsfördröjning: Detta mäter den tid det tar för att utsignalen ska ändras som svar på en förändring i insignalen.
Andra faktorer:
* driftsspänning och ström: Högre spänningar och strömmar leder i allmänhet till långsammare växlingshastigheter.
* Lastkapacitans: Kretsens kapacitet ansluten till transistorns utgång påverkar hur snabbt utgången kan förändras.
* Temperatur: Temperaturen kan påverka transistorens växlingshastighet.
Typiska intervall:
* bjts: Nanosekunder (10^-9 sekunder)
* MOSFETS: Nanosekunder till picosekunder (10^-12 sekunder)
Exempel: En typisk CMOS -transistor kan ha en växlingshastighet på några nanosekunder.
Hur man hittar växlingshastigheter:
* datablad: Se alltid till databladet för den specifika transistorn du använder för exakt information om omkopplingshastighet.
* Mätningar: Du kan mäta ökningen och falltiderna för en transistor med ett oscilloskop.
Slutsats:
Växlingshastigheten för en transistor är en kritisk parameter för applikationer som höghastighets digitala kretsar och kommunikationssystem. För att förstå växlingshastigheten för en viss transistor måste du ta hänsyn till transistortypen, dess tekniska specifikationer och andra relevanta faktorer.
