En forskningsstudie om lågbrus och högpresterande transistorer som leds av Suprem Das, biträdande professor i industri- och tillverkningssystemteknik, i samarbete med forskare vid Purdue University, publicerades nyligen av Fysisk granskning tillämpad .

Studien har visat mikro/nanoskala transistorer gjorda av tvådimensionella atomära tunna material som visar hög prestanda och lågt ljud. Enheterna är mindre än en hundradel av diametern på ett enda människohår och kan vara nyckeln till innovativ elektronik och precisionsavkänning.

Många forskare världen över fokuserar uppmärksamheten på att bygga nästa generation transistorer från atomexistens "exotiska" 2-D-material som molybden di-selenid. Dessa material är lovande eftersom de visar högpresterande transistorverkan som kan, i framtiden, ersätta dagens kiselelektronik. Dock, mycket få av dem tittar på ännu en viktig aspekt:​​det inneboende elektroniska bruset i denna nya materialklass. Elektroniskt brus är allestädes närvarande för alla enheter och kretsar och förvärras bara när materialet blir atomtunt.

En nyligen genomförd studie utförd av Das forskargrupp har systematiskt visat att om man kan styra skikttjockleken mellan 10 och 15-atom tunn i en transistor, enheten kommer inte bara att visa hög prestanda - som att slå på strömbrytaren - utan också uppleva mycket lågt elektroniskt brus. Detta unika fynd är viktigt för att bygga flera möjliggörande tekniker inom elektronik och avkänning med hjälp av ett antal framväxande 2-D-material. Denna forskning är en omfattande insats av ett tidigare fynd, där Das team genomförde den första studien om buller i MoSe2 -transistorer.