• Home
  • Kemi
  • Astronomien
  • Energi
  • Naturen
  • Biologi
  • Fysik
  • Elektronik
  •  science >> Vetenskap >  >> Fysik
    Hur man beräknar värdet för Vce i en transistor

    Transistorer är byggstenarna i den moderna elektroniska eran. De fungerar som små förstärkare som förstärker elektriska signaler som behövs för att underlätta kretsfunktionerna. Transistorer har tre grundläggande delar: basen, samlaren och emitorn. Transistorparametern "Vce" betyder den spänning som mäts mellan kollektorn och emitern, vilket är extremt viktigt eftersom spänningen mellan kollektorn och emitorn är transistorns utgång. Dessutom är transistorns primära funktion att förstärka elektriska signaler, och Vce representerar resultaten av denna förstärkning. Av denna anledning är Vce den viktigaste parametern i transistorkretsdesign.

    Hitta värdet på kollektorspänningen (Vcc), förspänningsmotstånden (R1 och R2), kollektorns motstånd (Rc) och emitterresistorn (Re). Använd transistorkretsritningen på Learning About Electronics-sidan (se Resources for Link) som en modell för hur dessa kretsparametrar kopplar till transistorn. Se den elektriska schematiska översikten av din transistorkrets för att hitta parametervärdena. För illustrativa ändamål, anta att din Vcc är 12 volt, R1 är 25 kilohms, R2 är 15 kilohms, Rc är 3 kilohms och Re är 7 kilohms.

    Hitta värdet av beta för din transistor. Beta är den aktuella förstärkningsfaktorn, eller transistorförstärkningsfaktorn. Det visar hur mycket transistorn förstärker basströmmen, vilken är den ström som visas vid basen av transistorn. Beta är en konstant som faller inom området 50 till 200 för de flesta transistorer. Se transistordatablad som tillhandahålls av tillverkaren. Leta efter frasen aktuell vinst, aktuellt överföringsförhållande eller variabeln "hfe" på databladet. Kontakta om möjligt transistortillverkaren för detta värde. För illustrativa ändamål, anta att beta är 100.

    Beräkna värdet på basmotståndet, Rb. Basmotståndet är motståndet mätt vid basen av transistorn. Det är en kombination av Rl och R2 såsom noteras med formeln Rb = (Rl) (R2) /(Rl + R2). Med hjälp av siffrorna från föregående exempel fungerar ekvationen enligt följande:

    Rb = [(25) (15)] /[(25 + 15)] = 375/40 = 9.375 kilohms.

    Beräkna basspänningen, Vbb, vilken är den spänning som mäts vid basen av transistorn. Använd formeln Vbb = Vcc * [R2 /(R1 + R2)]. Med hjälp av siffrorna från tidigare exempel fungerar ekvationen enligt följande:

    Vbb = 12 * [15 /(25 + 15)] = 12 * (15/40) = 12 * 0,375 = 4,5 volt

    Beräkna emitterströmmen, vilken strömmen strömmar från emitteren till marken. Använd formeln Ie = (Vbb - Vbe) /[Rb /(Beta + 1) + Re] där Ie är variabeln för emitterströmmen och Vbe är basen till emitterspänning. Ställ Vbe till 0,7 volt, vilket är standarden för de flesta transistorkretsar. Med hjälp av siffrorna från tidigare exempel fungerar ekvationen enligt följande:

    Ie = (4,5 - 0,7) /[9,375 /(100 + 1) + 7000] = 3,8 /[92,82 + 7000] = 3,8 /7.092 = 0.00053 ampere = 0.53 milliamps. Obs! 9.375 kilohms är 9.375 ohm och 7 kilohms är 7.000 ohm, vilket återspeglas i ekvationen.

    Beräkna Vce med formeln Vce = Vcc - [Ie * (Rc + Re)]. Med hjälp av siffrorna från tidigare exempel fungerar ekvationen enligt följande:

    Vce = 12 - 0.00053 (3000 + 7000) = 12 - 5.3 = 6,7 volt.

    © Vetenskap https://sv.scienceaq.com