Antiferromagneter har noll nettomagnetisering och är okänsliga för externa magnetfältstörningar. Antiferromagnetiska spintroniska enheter har ett stort löfte för att skapa framtida ultrasnabba och energieffektiva plattformar för lagring, bearbetning och överföring av information, vilket kan leda till snabbare och mer energieffektiva datorer.

Men för att vara användbara för applikationer som påverkar vardagen måste enheterna kunna fungera i rumstemperatur. En av nyckelingredienserna för att förverkliga antiferromagnetisk spintronik är insprutningen av spinnström vid det antiferromagnetiska gränssnittet. Tidigare realiserades effektiv spinninjektion vid dessa gränssnitt vid kryogena temperaturer.

Ett team ledd av Igor Barsukov vid University of California, Riverside, i samarbete med forskare vid Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, University of Utah och University of California, Irvine, har nu visat effektiv spinntransport i en antiferromagnet/ferromagnet hybrid som förblir robust upp till rumstemperatur. Forskarna observerade koppling av magnoniska delsystem i antiferromagneten och ferromagneten och insåg dess betydelse för spinntransport, en nyckelprocess i driften av spinnbaserade enheter.

Studien visas i Physical Review Research .

"Våra resultat överbryggar spin-orbitroniska fenomen av ferromagnetiska metaller med antiferromagnetisk spintronik och visar ett betydande framsteg mot förverkligandet av rumstemperatur-antiferromagnetiska spintroniska enheter", säger Barsukov, biträdande professor i fysik och astronomi.

Barsukov fick sällskap i forskningen av Rodolfo Rodriguez, Shirash Regmi, Hantao Zhang, Wei Yuan, Jing Shi och Ran Cheng från UCR; Pavlo Makushko, Ihor Veremchuk, René Hübner och Denys Makarov från Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf; och Eric A. Montoya från University of Utah och tidigare från UC Irvine. + Utforska vidare

Nytt genombrott inom "spintronics" kan öka höghastighetsdatatekniken