(PhysOrg.com) - I en rapport publicerad i Natur , Yu-ming Lin och Phaedon Avoris, IBM -forskare, har meddelat utvecklingen av en ny grafentransistor som är mindre och snabbare än den de introducerade i februari 2010. Denna nya transistor har en gränsfrekvens på 155 GHz, jämfört med den tidigare transistorn på 100 GHz.

Grafen är ett platt ark av kol som är en atom tjockt och har förmågan att leda elektroner med extremt höga hastigheter. Det är snabbt på väg att ersätta det traditionella kislet som det bästa elektroniska materialet för snabbare transistorer.

Grafenanordningar har gjorts tidigare genom att placera grafenarket ovanpå ett isolerande substrat, såsom kiseldioxid. Dock, detta substrat kan försämra grafens elektroniska egenskaper. Dock, forskargruppen har hittat en lösning för att minimera det.

Ett diamantliknande kol placeras som det översta lagret av substratet på en kiselskiva. Kolet är opolärt dielektriskt och inte fångar eller sprider laddningar lika mycket som kiseldioxiden ensam. Denna nya grafentransistor, på grund av det diamantliknande kolet, visar utmärkt stabilitet vid temperaturförändringar, inklusive extremt kalla temperaturer som i rymden.

Dessa nya högfrekvenstransistorer är inriktade på tillämpningar främst inom kommunikation som mobiltelefoner, internet, och radar.

Tillverkningen av dessa nya grafentransistorer kan åstadkommas med hjälp av teknik som redan finns för standard kiselanordningar, vilket innebär att kommersiell produktion av dessa transistorer kan börja när som helst.

Transistorutvecklingen var en del av ett pågående forskningsprojekt som IBM gör för det amerikanska försvarsdepartementets program DARPA (Defense Advanced Research Projects Agency). Militären söker denna forskning för att hjälpa till med utvecklingen av högpresterande radiofrekvenstransistorer.

© 2010 PhysOrg.com