Germanium är en indirekt bandgap-halvledare, vilket innebär att energiskillnaden mellan valensbandet och ledningsbandet inte är direkt. Detta innebär att när en elektron övergår från valensbandet till ledningsbandet måste den också avge en fonon, vilket är ett kvantum av gittervibrationer. Denna process för fononemission minskar effektiviteten hos lysdioder gjorda av germanium.

Däremot har direkta bandgap-halvledare, såsom galliumarsenid (GaAs), en direkt energiskillnad mellan valensbandet och ledningsbandet. Detta innebär att elektroner kan övergå från valensbandet till ledningsbandet utan att avge en fonon, vilket gör lysdioder gjorda av dessa material mer effektiva.

Av dessa skäl används inte germanium som ett LED-material, medan direkta bandgap-halvledare som GaAs vanligtvis används.