• Home
  • Kemi
  • Astronomien
  • Energi
  • Naturen
  • Biologi
  • Fysik
  • Elektronik
  • Vad är skillnaden mellan en bipolär transistor och fälteffekttransistor?

    Bipolar Junction Transistor (BJT) vs. Field Effect Transistor (FET)

    Både BJTS och FETS är tre terminal halvledarenheter som används för att förstärka och växla elektroniska signaler. Men de skiljer sig åt i sina driftsprinciper, konstruktion och egenskaper:

    1. Driftsprincip:

    * bjt: Strömflödet genom en BJT styrs av basström . En liten basström kan styra en mycket större samlarström. BJT är en strömkontrollerad enhet .

    * Fet: Det nuvarande flödet genom en FET styrs av grindspänningen . En förändring i grindspänningen förändrar kanalens konduktivitet och kontrollerar därmed strömmen. FET är en spänningsstyrd enhet .

    2. Konstruktion:

    * bjt: BJT:er är gjorda av två PN -korsningar -En basemitterande korsning och en basuppsamlingskorsning. Basen är en tunn, lätt dopad region som är inklämd mellan emitteren och samlaren.

    * Fet: FET:er består av en singel PN -korsning (för JFETS) eller en metalloxid-Semiceductor (MOS) -struktur (för MOSFETS). Porten är isolerad från kanalen med ett oxidskikt.

    3. Egenskaper:

    bjt:

    * Högre nuvarande vinst: BJT:er har i allmänhet en högre strömförstärkning (ß) än FET.

    * lägre ingångsimpedans: BJT:er har lägre ingångsimpedans än FETS.

    * mer känslig för temperaturförändringar: BJT:er uppvisar en högre temperaturkänslighet än FETS.

    * mer mottaglig för brus: BJT:er tenderar att vara mer mottagliga för brus än FETS.

    FET:

    * Högre ingångsimpedans: FET:er har en högre inmatningsimpedans än BJTS.

    * Lägre strömförbrukning: FETS konsumerar i allmänhet mindre kraft än BJTS.

    * lägre brus: FET:er tenderar att ha lägre brus än BJTS.

    * brett utbud av driftsfrekvenser: FETS är lämpliga för högfrekventa applikationer.

    4. Applikationer:

    * bjt: Förstärkare, switchar, oscillatorer, logikkretsar, kraftelektronik och många fler.

    * Fet: Lågbrusförstärkare, RF-kretsar, sensorer, högfrekventa förstärkare och mer.

    Sammanfattningstabell:

    | Funktion | BJT | Fet |

    | --- | --- | --- |

    | Kontrollmekanism | Aktuell kontrollerad | Spänningsstyrd |

    | konstruktion | Två PN -korsningar | Enkel PN -korsning eller MOS -struktur |

    | nuvarande vinst | Hög | Nedre |

    | Ingångsimpedans | Låg | Hög |

    | Temperaturkänslighet | Hög | Låg |

    | buller | Hög | Låg |

    | Strömförbrukning | Hög | Låg |

    | driftsfrekvens | Nedre | Högre |

    Sammanfattningsvis , både BJTS och FETS har sina styrkor och svagheter, vilket gör dem lämpliga för olika applikationer. Valet mellan dem beror på kretsens specifika krav.

    © Vetenskap https://sv.scienceaq.com